Impulzný emitorový sledovač
Emitorový sledovač môže byť realizovaný
pomocou
jednoduchého obvodu s tranzistorom v zapojení so spoločným kolektorom
(obrázok
1a). Základnou charakteristikou emitorového sledovača je napäťové
zosilnenie
Au<=1,
vysoký vstupný odpor a nízky výstupný odpor. Preto sa sledovač
používa
hlavne ako prevodník impedancii, napríklad medzi detektorom a káblom,
pomocou
ktorého sa impulzy transportujú do zosilňovača. V tejto
úlohe praktika
sa skúmajú vlastnosti sledovača nepriamo - na základe vplyvu
výstupného
odporu sledovača na prenos impulzného signálu (pri rôznych
pracovných
podmienkach tranzistora, realizovaných rôznym spôsobom napájania bázy).
Očakávame, že si meraním overíme nasledujúce skutočnosti:
Cieľom úlohy je overenie vplyvu jednosmerných pracovných podmienok tranzistora (F) v emitorovom sledovači na výstupný odpor (F) pri zosilňovaní (F) impulzného signálu (impulzov obdĺžnikového tvaru s krátkym trvaním čela a tyla).
Z hľadiska vhodnosti nastavenie potrebného predpätia pre pracovný bod v stave pokoja emitorového sledovača (F úloha sk) je najvhodnejšie typ zapojenia 1 - s napájaním bázy z deliča Rb1-Rb2 , ak je splnená podmienka, že prúd cez delič ja aspoň 5x väčší ako potrebný prúd bázy.
Z hľadiska dynamického rozsahu emitorového sledovača (lineárneho zosilnenia väčších amplitúd) je treba mať nastavený dostatočný jednosmerný prúd (F) cez tranzistor (čo pri konkrétnej voľbe súčiastok zapojenia spĺňa najlepšie zapojenie 2, aj keď možno mať k jeho dokonalosti výhrady, uvedené v F úlohe sk). Pri veľmi malom pokojovom prúde cez sledovač môžu byť totiž s rôznou linearitou zosilňované kladné a záporné impulzy, predovšetkým väčšej amplitúdy. Preto by ste si pri meraní mali zvoliť aspoň 2 amplitúdy impulzu (napr. 0,3 V a 30mV) s rôznou polaritou impulzu (je to dôležité v prípade napájania 1 a 2, v ktorých možno porovnávať namerané a vypočítané výstupné odpory - obr. 1d, obr. 1e, obr. 3b, obr. 4c). V snahe zmenšiť počet meraní v praktiku je pre každé meranie doporučená jedna z polarít impulzu.
Spôsob napájania 3 je ilustračný, nakoľko v stave pokoja je tranzistor prakticky nevodivý - zosilnenie je nelineárne a zapojenie je použiteľné len pre impulzy väčšej amplitúdy. Je však názorné na demonštrovanie vplyvu kapacity záťaže na predlženie impulzu (obr. 2b, obr. 4d).
q 1. Napájanie bázy tranzistora cez delič Rb1-Rb2Na obrázku 1a je zapojenie obvodu s tranzistorom v zapojení SK - emitorového sledovača, v ktorom báza tranzistora je napájaná z deliča Rb1-Rb2 . Jednosmerným voltmetrom sú v simulovanom meraní odmerané hodnoty jednosmerného napätia na báze UB= 2,2V a na emitore UE=1,5V. Pomocou týchto odmeraných napätí a s pomocou odporov príslušných rezistorov možno určiť ďalšie parametre, ako napríklad prúdy cez bázu a emitor, ako aj prvky náhradného obvodu tranzistora (statický zosilňovací činiteľ bF v zapojení SE, strmosť gm, vstupný odpor tranzistora rp a pod. (F). Pomocou takto určených parametrov náhradného obvodu tranzistora možno tiež vypočítať ďalšie parametre sledovača (napäťový a prúdový zisk, vstupný a výstupný odpor tranzistora a pod.) Po vykonaní príslušných meraní, ktoré sú popísané v ďalšej časti, nezabudnite na záver potom vypočítané charakteristické parametre emitorového sledovača porovnať s odmeranými. Parametre tranzistora by mali byť podobné údajom z obrázka 1b.
Na základe priebehu amplitúdovej frekvenčnej charakteristiky (F)sledovača z obrázku 1a, uvedenej na obrázku 1c vidno, že filtračný účinok časovej konštanty derivačného výstupného obvodu (s kondenzátorom Cv2=C2) sa vďaka jeho vhodnej voľbe prakticky neprejavuje a že pre skúmanie prenosu krátkych mikrosekundových impulzov je aj vhodne zvolená kapacita vstupného oddeľovacieho kondenzátora C1 ( Dolná hraničná frekvencia fd~ 2 kHz je u oboch priebehov na obrázku 1c rovnaká.). Výsledky získané na základe amplitúdovo - frekvenčnej charakteristiky na obrázku 1c (interpretované na prenos tvaru obdĺžnikového impulzu (F)potvrdzuje obrázok 1d. Tvary vstupného a výstupného impulzu sa okrem amplitúdy (napäťový zisk Au menší ako1)) prakticky neodlišujú. Ešte lepšia zhoda je na obrázku 1e pri odpojenom zaťažovacom rezistore RL , keď vstupná amplitúda Uin ~ Uout0 je prakticky rovná výstupnej amplitúde naprázdno Uout0 (napäťový zisk Au~1). Na základe odmeraných amplitúd impulzu z
obrázkov
1d a 1e možno meraním určiť napäťový zisk sledovača Au=Uout/Uin
(resp. napäťový zisk samotného tranzistora AuT=Uout/Ub)
a tiež jeho výstupný odpor Rvyst=[RL(Uout0-Uout
]/Uout (obdobným spôsobom ako v úlohe SK(F).
u Vplyv zväčšenia kapacity emitora
Vplyvom pripojenia kapacity záťaže CL=150pF
na emitor podľa obrázku 2a sa zmení tvar výstupného impulzu kladnej
polarity
podľa obrázku 2b. (Pri tranzistore NPN je na kolektore kladné napájacie
napätie Ucc a vstupný impulz kladnej polarity zvyšuje
amplitúdu emitorového prúdu.) Markantné je predĺženie trvania tyla
impulzu tta=2,2t
(kde t~RvystCL
) ako reakcia na pomalší priebeh prechodového javu vybíjania
kondenzátora
CL cez málo vodivý tranzistor (reprezentovaný výstupným
odporom
Rvyst., resp. mohlo by sa tiež povedať aj, že je to dôsledok
malého jednosmerného pokojového prúdu cez emitor v porovnaní s
amplitúdou
impulzu.) Pri tvarovaní čela impulzu sa zvyšuje amplitúda prúdu cez
tranzistor
a jeho výstupný odpor Rvyst je zrejme dostatočne malý
na to, aby sa prejavil na prechodovom jave nabíjania kondenzátora CL.
Pri takto volených pracovných podmienkach tranzistora je zrejme odlišný
vnútorný odpor Rvyst pre rôzne polarity napäťového skoku,
iný
bude pri zvyšovaní a iný pri zmenšovaní emitorového prúdu.
Na základe odmeraného aktívneho trvania
tyla impulzu
tta~2,2RvystCL a známej kapacity
CL možno určiť výstupný odpor Rvyst
(použijeme
ho len na porovnanie pri zhodnotení úlohy), ktorý zapríčiňuje
predĺženie
tyla impulzu. .
Pri vstupe impulzu opačnej polarity na
obrázku
2c bude skreslenie tvaru impulzu väčšie. (Pri tranzistore NPN je na
kolektore
kladné napájacie napätie Ucc a vstupný impulz zápornej
polarity zmenšuje amplitúdu emitorového prúdu. Nedostatočná veľkosť
jednosmerného
pokojového prúdu tranzistora vedie k odrezaniu časti vstupnej amplitúdy
impulzu a veľký výstupný odpor má za následok pomalé nabíjanie
kondenzátora.) q 2. Napájanie bázy tranzistora cez rezistor Rb1Na obrázku 3a je zapojenie obvodu s tranzistorom v zapojení SK - emitorového sledovača, v ktorom báza tranzistora je napájaná cez rezistor.Rb1. V simulovanom meraní odmerané hodnoty jednosmerného napätia na báze UB=10,8 V a na emitore UE=10,06V. Pracovné podmienky tranzistora v tomto zapojení sú iné než v predošlom zapojení na obrázku 2a, lebo pokojové prúdy tranzistora sú väčšie. Evidentný je ďaleko väčší pokojový prúd emitora v porovnaní s v predošlým zapojením na obrázku 2a. Pri väčšom emitorovom prúde môžu mať väčší rozsah aj eventuálne reakcie na vstupný impulz.
Z porovnania impulzov na obrázku 1d a 3b, odmeraným pri rovnakom zaťažovacom odpore RL vidno, že rozdiel medzi vstupnou amplitúdou Uin a výstupnou amplitúdou Uout .je menší, na obrázku 3b, takže aj výstupný odpor sledovača Rvyst v tomto zapojení bude menši. Pre impulzy kladnej polarity má teda zapojenie na obrázku 3a lepšie vlastnosti ako zapojenie na obrázku 1a. Tento uzáver by mohol potvrdiť aj oscilogram so zapojenou emitorovou kapacitou. Nakoľko je prakticky rovnaký ako obrázok 3b z dôvodu šetrenia miesta ho neuvádzam. Skúste vykonať ešte jedno meranie výstupného odporu aj pri menšej amplitúde impulzu, napríklad pri Uin~50 mV, keď sú lepšie splnené podmienky, za ktorých možno ešte pokladať tranzistor za lineárny prvok (F). Pri (opačnej) zápornej polarite
amplitúdy impulzu
(obrázok 3c) bude vplyv kapacity CL=150 pF na proces
spomalenia
reakcie sledovača podobný ako na obrázku 2c (keď je báza tranzistora
napájaná
z deliča Rb1-Rb2 a pracovné podmienky
tranzistora
pre zápornú polaritu impulzov sú nevhodne nastavené.) q 3. Napájanie bázy tranzistora cez rezistor Rb2 Na obrázku 4a je zapojenie obvodu s
tranzistorom
v zapojení SK - emitorového sledovača, v ktorom báza tranzistora je
napájaná
cez rezistor Rb2.Odmerané hodnoty jednosmerného napätia na
báze
UB = 653 nV a na emitore UE = 7 nV svedčia o tom,
že tranzistor v pokojovom stave je prakticky v nevodivom stave (F
). (Pracovné podmienky tranzistora
sú teda odlišné od zapojení na obrázku 1a a obrázku 3a, lebo pokojové
prúdy
cez tranzistor prakticky netečú a tranzistor je v nevodivom stave.)
Ako vyplýva z porovnania impulzov na
obrázku 4b
je tranzistor prakticky nevodivý a signál na jeho výstup prestupuje len
vďaka kapacitným väzbám medzi jeho elektródami. Amplitúda impulzu U1=
0,6 V je príliš malá na to aby uviedla tranzistor do aktívneho
stavu.
Pri zvýšení vstupnej amplitúdy na U1=1,6V
na obrázku 4c sa od určitej vstupnej amplitúdy impulzu začne pracovný
bod
tranzistora dostávať do aktívnej oblasti (F))
a na výstupe je pozorovateľný impulz. Jeho amplitúda je však zmenšená o
napäťovú úroveň bariery PN prechodu diody báza emitor (UBE=0,6
V), pokiaľ sa pracovný bod tranzistora nedostane do aktívneho
stavu.
Je zrejmé, že pri takýchto pracovných podmienkach, keď je tranzistor v stave nevodivom a potom sa pôsobením vstupného impulzu môže dostať do aktívneho stavu bude jeho ekvivalentný vnútorný odpor vysoký a vplyv pripojenia kapacity záťaže bude veľký, tak ako demonštruje obrázok 4d. Na základe odmeraného aktívneho trvania
tyla impulzu
tta~2,2RvystCL a známej kapacity
CL určite výstupný odpor Rvyst , ktorý
zapríčiňuje
predĺženie tyla impulzu:
Porovnajte tiež výstupný odpor určený na
základe
obrázkov 2b a 4d a určite či sa odlišujú ? Porovnajte tiež tieto
hodnoty
výstupného odporu s hodnotou odmeranou na základe poklesu výstupnej
amplitúdy
pri zaťažení odporom RL (určeného na základe obrázkov
1d, 1e a 3b). Na záver : Nezabudnite
porovnať vypočítané hodnoty
napäťového
zisku Au (resp. AuT) a výstupného
odporu Rvyst
(len pre tie pracovné podmienky tranzistora pri ktorých má sledovač
malý
výstupný odpor Rvyst a má vyhovujúce podmienky s ohľadom na
linearitu a výkon) s odmeranými
hodnotami výstupného odporu. (Ak ste
merali
výstupný odpor pri rôznej amplitúde impulzov nezabudnite uviesť pri
ktorej
amplitúde je zhoda s vypočítanou hodnotou lepšia.). Určite tiež
výstupný
odpor v tých pracovných podmienkach tranzistora, keď sa maximálne
uplatňuje
vplyv kapacity CL . Literatúra (
základná,
v ktorej sú podrobnejšie uvedené potrebné vzťahy a pojmy.):
|