Tranzistor v zapojení SE

q Náhradný obvod tranzistora pre veľký signál

Tranzistor - polovodičová súčiastka s tromi elektródami, slúžiaca na zosiľňovanie a prepínanie signálov (v kremíkovom alebo germániovom prevední).

• Bipolárny tranzistor (F) môže byť P-N-P alebo N-P-N typu, ako ilustruje obrázok 0aa. 
• Unipolárny tranzistor alebo tranzistor ovládaný elektrickým poľom FET.

Tri elektródy súčiastky (E, B, K) umožňujú 6 možností ich zapojenia - z toho je polovica nezávislých od poradia (napr. kombináciu BE pokladame za rovnocenú s EB), ktoré  podľa elektródy spoločnej pre vstupnú a výstupnú časť obvodu sa  nazýva:

• zapojenie so spoločnou bázou (SB), 
• zapojenie so spoločným emitorom (SE), 
• zapojenie so spoločným kolektorom (SK). 

Obr. 0a  Schématická značka bipolárneho tranzistora; Diódový náhradný obvod; Náhradný obvod bipolárneho tranzistora pre veľký signál. Zdroj prúdu IC=bFIB charakterizuje výstupnú charakteristiku IC= f(UCE), ktorá prestavuje nevodivý PN prechod báza-kolektor. (Kvôli zopakovaniu pripomínam, že charakteristickou vlastnosťou prúdového zdroja je vysoký vnútorný odpor RCE, ktorý spôsobuje, že prúd IC z tohto zdroja prakticky nezávisí od napätia UCE, takže zobrazením tejto charakteristiky je rovnobežka s osou UCE).

Nutnou podmienkou pre správnu funkciu tranzistora je nastavenie jednosmerných prúdov I_C a I_B tak, aby P-N prechod báza emitor bol polarizovaný vo vodivom smere a P-N prechod báza kolektor bol polarizovaný v nevodivom smere (diódový náhradný obvod tranzistora na obrázku 0ab F). Základnou vlastnosťou tranzistora je, že jeho kolektorový prúd I_C je násobkom bázového prúdu I_B. Ich pomer b_F= I_C/I_Bsa nazýva koeficient prúdového zosilnenia (v zapojení so spoločným emitorom - lebo v tomto zapojení sa využíva spôsob ovládania prúdu  I_C pomocou prúdu I_B. 

Inou možnosťou zapojenia  tranzistora (obr.0a00) je spôsob ovládania prúdu  I_C=a_F I_E pomocou prúdu I_E. Pritom medzi koeficientmi prúdového zosilnenia platí vzťah b_F=a_F/(1-a_F). Presný názov koeficientov prúdového zosilneni b_F a a_F má ešte doplnok v stave výstupu nakrátko - teda napr. koeficient prúdového zosilneni b_F v zapojení so spoločným emitorom v stave výstupu nakrátko - čím sa zdôrazňuje jeho nezávislosť od voľby odporu v obvode kolektora.)
 

Obr. 0a00 Priklad zapojenia so spoločnou bázou  (SB):  Koeficient prúdového zosilnenia aF=IC/IE ~1 je menší ako pri zapojení SE. Vstupný odpor tranzistora Rvs=1/gm  je podstatne menší ako pri zapojení SE. Výstupný odpor Rvys=RC  je rovnaký ako pri zapojení SE.

Ďalšou možnosťou zapojenia tranzistora je zapojenie so spoločným kolektorom  (SK F), ktoré má pracovný odpor pripojený v emitorovom obvode a signál sa odoberá z emitora. 

Základné charakteristiky tranzistora

Obrázok 0a1 ilustruje ako sa mení výstupný prúd I_C pri zmene vstupného napätia U_BE (prevodová charakteristika), poprípade ako sa pri skokovej zmene vstupného napätia U_BE menia výstupné charakteristiky . Vstupná charakteristika na obr. 0a2 potvrdzuje fakt, že cez vstup tranzistora tečie prúd podobne ako cez vodivú diódu. 
 

Obr. 0a1 - prevodová charakteristika (strmosť gm=(DIC/DUBE) odmeraná pri konštantnom napätí UCE=konst) a výstupná charakteristika (kolektorový prúd len málo závisí od zmeny UCE  => vysoký výstupný odpor rCE =DUCE /DIC, odmeraný pri konštantnom napätí UBE=konst. V reálnych zapojeniach je väčšinou rCE>>RC.)

 

Obr. 0a2 - vstupná charakteristika. (vstupný odpor rBE=DUBE/DIB, odmeraný pri konštantnom napätí UCE=konst.)

Na určenie závislosti prúdu i_C od napätia u_BE  v tranzistore (v  ktorom  sú správne polarizované  jeho PN  prechody báza-emitor a báza -kolektor, takže prúd medzi emitorom a kolektorom tečie prúd i_C, amplitúda ktorého závisí od napätia u_BE medzi bázou a emitorom , poprípade od  prúdu i_B) sa často používa Ebersov-Mollov vzťah

iC=IS.[exp(uBE/UT) - 1] ,

v ktorom:

UT=kT/q=25,3mV "teplotné " napätie pri izbovej teplote T=300K. q - náboj elektrónu 1,6. 10-19C T - absolutná teplota v K k - 1,38.10-23 J/K - Boltzmannova konštanta IS- nasýtený  záverný prúd cez emitorový PN prechod tranzistora (závisí od T). V aktívnej oblasti  (kde je IC= bFIB tranzistor pracuje ako zosilňovač) je IC>>IS a člen -1 možno zanedbať.

	Obr. 0a3 Závislosť prúdu IC od napätia UBE - prevodová charakteristika tranzistora.
	Obr. 0a4.Závislosť súčiniteľa bF od prúdu IC (Označenie na obrázku : h21e=bF)

Z Ebersovho-Mollovho vzťahu plynú niektoré zaujímavé uzávery pre voľbu zapojenia tranzistora, ktoré zabezpečí vhodné pracovné podmienky tranzistora (ilustrované na obr. 0a5, obr. 0ad, obr. 0ae, obr. 0af):

• Na desaťnásobnú prúdu zmenu DI_C treba zmenu napätie medzi bázou a emitorom DU_BE~60mV => zabezpečiť napäjanie bázy z "tvrdého" zdroja, napr. z deliča, ktorého prúd I_d~(5-10)I_B.
• Z hľadiska vstupujúceho prúdu do  emitora  sa tranzistor  teda chová podobne ako vodivá dióda s  odporom  r_e=1/g_m=U_T/I_C=25/I_C{pre I_C [mA] bude v  r_e[W]} alebo tiež možno povedať, že prenosová vodivosť g_m=1/r_e , ktorá sa volá strmosť  g_m= (DI_C/DU_BE) odmeraná pri konštantnom napätí U_CE=konst charakterizuje citlivosť prúdu I_C na zmeny vstupného napätia U_BE . Grafické vyjadrenie závislosti I_C=f(U_BE) sa nazýva prevodová charakteristika tranzistora a ako ilustruje obrázok 0a3 je vhodne popísaná exponencialnou funkciou v širokom rozsahu prúdov (obyčajne od nA do mA). Pre porovnanie: zo závislosti b_F od prúdu I_C z obrázku 0a4 je zrejmé, že pre nastavenie pracovných podmienok tranzistora je voľba založená len na b_F nie vždy lineárna.
• Závislosť napätia U_BE od teploty. Nakoľko prúd  I_S závisí od teploty zmenšuje sa DU_BE~2,1mV/°C. Už aj zmena DU_BEo -2,1mV pri zvýšení teploty o 1°C môže spôsobiť pri zosilnení A_u  veľký posun (-2,1*A_u mV) jednosmerného pracovného napätia na kolektore U_C.
• Tzv. Earlyho efekt - hoci veľmi málo ale U_BE pri stálom prúde I_C závisí aj od U_CE . Tento jav spôsobuje zmena efektívnej šírky bázy a je približne   DU_BE~-0,001DU_CE. Earlyho efekt možno minimalizovať voľbou U_B>U_BE>>0,6V (=>> zvýšenie napätia U_B~U_E+0,6V pomocou zapojenia odporu R_E do emitora) . 

F Vlastnosti zapojenia SE

• Vhodné kapacity vstupných, výstupných a emitorových kondenzátorov
• Náhradný obvod z hľadiska jednosmerného a striedavého signálu

Jednosmerné pracovné podmienky tranzistora
 

Pre nastavenie jednosmerných pracovných podmienok tranzistora alebo pri veľkých skokoch amplitúdy signálu (u_be > 5mV) nie je možné pokladať tranzistor za lineárny prvok. Vhodný náhradný obvod  možno skonštruovať pomocou aproximácie charakteristík tranzistora lomenými úsečkami, v ktorom sa využíva fakt (ilustrovaný na obrázku 0a1, 0a2), že ak má tranzistor fungovať ako zosilňovač musí byť jeho PN prechod BE zapojený vo vodivom smere, kde má charakteristiku podobnú dióde (s prahovým napätím U_BE) a jeho PN prechod CE musí byť zapojený v nevodivom smere, kde jeho charakteristika pripomína zdroj prúdu (náhradný obvod  zodpovedajúci takým parametrom je na obrázku 0ac).

Obr. 0a5. Zapojenie tranzistorového spínača - najjednoduchšie zapojenie, ktoré zabezpečuje polarizovanie PN prechodov tranzistora tak, aby pre majoritné nosič náboja bol prechod  BE polarizovaný vo vodivom smere a prechod CB polarizovaný v závernom smere (F). S hľadiska vlastností spínača požadujeme, aby na kolektore bolo malé napätie (napätie nasýtenia Us~0,05-0,2V), čo v danom zapojení možno splniť voľbou tranzistora s bF~100.

Spôsob zapojenia tranzistora s uzemneným emitorom (pri R_E=0) na obr. 0a5 má rad nedostatkov, predovšetkým:

• Nízke napätie U_B~0,6V, ktoré nezabezpečuje dostatočnú stabilitu kolektorového prúdu I_C pri zmene teploty;

• Nelinearitu zosilnenia spôsobenú príliš veľkým zosilnením signálov s väčšou amplitúdou (pre veľké zmeny kolektorového prúdu DI_C v okolí pracovného bodu už nemožno pokladať tranzistor za lineárny prvok). 

Obr. 0ad. Zapojenie  v ktorom je z hľadiska jednosmerného napájania zabezpečené vyššie napätie na báze ako  0,6 V, ktoré je typické pre kremíkový tranzistor z uzemneným emitorom (nie so spoločným emitorom ale pri RE=0). Nutnou súčasťou zapojenia je delič, ktorý vytvára potrebné predpätie.

Obr. 0ae. Obdoba zapojenie  na obr. 0ad v ktorom sú  podmienky pre nastavenie pracovného bodu rovnaké z hľadiska jednosmerného a striedavého signálu. Nutnou súčasťou zapojenia je delič, ktorý vytvára potrebné predpätie tak, že prúd Id~(5-10)IB cez delič R1-R2 je omnoho  väčší ako jednosmenrý prúd IB cez bázu. Kolektorový odpor bol zvolený tak, aby  napätie UC=0,5Ucc (IC =10mA, => gm=0,4S, re=1/gm=25W). Nedostatkom je pomerne malý RE , preto aby zosilnenie AuT=RC/( re+RE) nebolo (pôsobením zápornej spätnej väzby na RE) príliš malé.

Obr. 0af.  Obdoba zapojenie  na obr. 0ad a obr. 0ae, v ktorom sú  podmienky pre nastavenie pracovného bodu odlišné z hľadiska jednosmerného a striedavého signálu (len časť emitorového odporu RE2=820W je "šuntovaná " kondenzátorom). Jednosmerné podmienky voľby pracovného bodu tranzistora sú obdobné ako na obr. 0ae. Odpor RE1=180W  bol zvolený tak, aby zosilnenie AuT=RC/(re+RE)~50.

Obr. 0ag. Obdoba zapojenie  na obr. 0af,  v ktorom sú iným spôsobom vytvorené odlišné podmienky pre nastavenie pracovného bodu  z hľadiska jednosmerného (RE1=1kW) a striedavého signálu ( ako RE figuruje  kombinácia RE1=1kW  paralelne s odporom RE2=180W - "šuntovaná " kondenzátorom). Jednosmerné podmienky voľby pracovného bodu tranzistora sú obdobné ako na obr. 0ae. Odpor RE1=180W bol zvolený tak, aby zosilnenie AuT=RC/(re+RE)~50.

Obr. 0ah Pôsobenie emitorového kondenzátora CE na frekvenčnú závislosť napäťového zosilnenia (napäťový prenos). Záporná spätná väzba zmenšujúca zosilnenie AuT=RC/(re+RE) nebude pôsobiť ak ZE=RE||(1/jw CE)~0.

Pre voľbu vhodného emitorového kondenzátora C_E vo vyššie uvedených zapojeniach, ktorý by potlačil pôsobenie spätnej väzby po dolnú hraničnú frekvenciu f_d treba splniť podmienku

 

[Návrat]

Obr. 0b. Náhradný obvod tranzistora pre malé signály;  s prúdovým zdrojom ic=b0ib ;  s prúdovým zdrojom ic=gmup  ;  vf model, doplnený o ďalšie elementy, ktoré umožnujú charakterizovať správanie tranzistora pri rýchlych zmenách signálu.  (Označenie na obrázku : upi = up ; rpi = rp; Cmi=Cm ; Cpi = Cp.)

Náhradný obvod tranzistora na obrázku 0b_a a 0b_b vyplýva zo zjednodušeného vzťah pre závislosť malých zmien prúdov bázy i_B=f(u_BE, u_CE) a kolektora i_C=f(u_BE,u_CE) od zmien napätia u_BEa u_CE, v okolí pracovného bodu tranzistora, ktorý má nastavené stále jednosmerné napätie U_CE a U_BE :

diB=ib=(diB/duBE)duBE+(diB/du)duBE=(ube/rp)+(ubeSr)~ube/rp

diC=ic=(diC/duBE)uBE+(diC/du)duBE=(gmube)+(ube/rCE)~gmube

Vo výslednom zjednodušenom vzťahu:

ib~ube/rp

ic~gmube

boli zanedbané parametere - spätná vodivosť S_r ~ 0, ktorá sa uplatňuje len pri vysokých frekvenciach a výstupná vodivosť 1/r_CE ~ 0 (napr. pre NPN tranzistor, cez ktorý tečie jednosmerný kolektorový prúd I_C býva r_CE ~ 100/I_C). Okrem toho namiesto diferencialne malých zmien, napríklad prúdu di_B , bola kvôli jednoduchšiemu zápisu použitá amplitúda malého striedavého signálu, ktorá charakterizuje túto zmenu prúdu i_b. (Kvôli úplnosti treba ešte uviesť, že v uvedenom vzťahu členy s du_BE  sú definované pri konštantnom napätí U_CE  a členy s du_CE  sú definované pri konštantnom napätí U_BE ). Náhradný obvod skonštruovaný na základe finálnych vzťahov je zobrazený na obrázku 7b v dvoch modifikáciach (0b_a, 0b_b), ktoré sú však rovnocené

a použiteľné pre bipolárny a aj unipolárny tranzistor (FET). Tento náhradný obvod sa často žargonovo nazýva nf model tranzistora pre malý signál, nakoľko dobre charakterizuje vlastnosti tranzistora v oblasti stredných frekvencii t.j. v okolí 500Hz až 1kHz.

F  Vstupná a výstupná impedancia

• v zapojení so spoločným emitorom a v zapojení so spoločným kolektorom
• viacstupňový zosilňovač
• emitorový sledovač
• Darlingtonove zapojenie sledovača

Príklady použitia náhradného obvodu pre malý signál

Príklad 1
 

Obr. 0bd1. Najjednoduchšie zapojenie zosilňovača s tranzistorom SE a jeho náhradný obvod;  Zapojenie obvodu ; Postup pri tvorbe náhradného obvodu, ktorý je založený na aplikácii princípu superpozície v lineárnych obvodoch. (zámena nezávislého napájacieho zdroja napätia jeho náhradnými obvodom => skratom)  (Označenie na obrázku :upi = up ; rpi = rp.

 

Obr. 0bd2. Výsledný náhradný obvod zapojenia z obr. 0bd1a  (Označenie na obrázku:  upi= up ; rpi= rp)

Príklad 2

V zapojení podľa obrázku 0bd1a, v ktorom je U_cc=12V, R_B=470kW, R_C=5kW, R_g=5kW a b_F=50 určite základné vlastnosti zosilňovača (s kremíkovým  tranzistorom).

Jednosmerný kolektorový prúd :

IC=bF(Ucc-0,6)/RB =50(12-0,6)/470000=1,2mA

Parametre tranzistora za predpokladu, že b₀=b_F:

Strmosť:	Odpor medzi bázou a emitor:
gm=0,04*IC=40*1,2=48mS	rp=b0 /gm ~ 1kW

Za predpokladu správnej voľby väzobného kondenzátora C₁ možno pomocou náhradného obvodu na obrázku 0bd2 vypočítať ďalšie potrebné parametre, ktoré sú charakteristické pre uvedené zapojenie zosilňovača:

Napäťový zisk celkový:	Napäťový zisk tranzistora:
Au=-b0 RC/(Rg+rp)=-50*5/(1+1)=-125	AuT=-b0 RC/rp=-gmRC=-RC/re~-250

Pri takomto veľkom zisku A_uT >100 treba skontrolovať aj platnosť  zjednodušujúcej podmienky, ktorú sme použili pri návrhu náhradného obvodu - či možno neuvažovať odpor r_CE~100/I_C~80kW. Skutočné zosilnenie A_uT=(-g_m(R_C||r_CE) ~-188  je teda menšie ako -250.

Vstupný odpor:	Výstupný odpor:
Rvst = rp~ 1kW	Rvyst =  RC~ 5kW

Nakoniec kontrola vhodnosti použitia lineárneho náhradného obvodu tranzistora: 
Za predpokladu R_B ||r_p~r_p a požiadavke |u_p|<<kT/q~25mV (teda napr. ak žiadame |u_p|~5mV) môže byť maximálna amplitúda z generátora u_g=u_p(R_g+r_p)/r_p~10mV. Táto hodota teda určuje hranice "malosti signálu" pre náhradný obvod tranzistora v oblasti  malého signálu.
 

Príklad 3
 

Obr. 0be0 Modifikácia zapojenia zosilňovača s tranzistorom SE s emitorovým odporom .

 

Obr. 0be1. Postup pri tvorbe náhradného obvodu zapojenia z obr. 0be0.

Z hľadiska ďalšieho zjednodušenia obvodu na obr. 0be0, resp. 0be1 treba upraviť zdroj prúdu g_mu_be tak, aby bol úmerný nie napätiu u_be na odpore r_be ale skutočnému vstupnému napätiu u₁ na vstupe tranzistora R_vst= r_be/(r_be+(b₀+1)R_E . Nakoľko pomer

ube /u1= rbe/(rbe+(b0+1)RE) ~ re/(re+RE) ; kde re = rbe /(b0+1)

možo vyjadriť:

gmube = gmu1re/(re+RE) =a0u1/(re+RE) ~ g'mu1

a na základe toho v zapojení na obrázku 0be1 nahradiť prúdový zdroj g_m upraveným prúdovým zdrojom (obr. 0be2)

a tak dosiahnuť rozdelenie obvodu na vstupnú a výstupnú časť podobne ako v náhradnom obvode na obr. 0bd2.
 

Obr. 0be2. Výsledný náhradný obvod zapojenia z obr. 0bd , formálne rovnaký ako náhradný obvod na obr. 0bd2. (Označenie na obrázku:  upi=up ; rpi = rp; beta=b0; alfa=a0)

F Tranzistor v oblasti vysokých frekvencii

• Vnútorné kapacity tranzistora
• Tranzitná frekvencia
• Millerov jav
• Náhradný obvod pre vysokofrekvenčnú oblasť frekvencii
• Kapacita výstupu
• Zapojenie so spoločnou bázou

Úprava náhradného obvodu pre oblasť vysokých frekvencii

Náhradný obvod na obrázku 0b_c, ktorý je doplnený o medzielektródové kapacity (obr. 0bh) vystihuje správanie sa tranzistora pri vyšších frekvenciach (<160MHz) a žargonovo sa nazýva vf model tranzistora pre malý signál. V náhradnom obvode tranzistora na obrázku 0b_c charakterizuje:

• C_m- kapacitu medzielektródového PN prechodu kolektor-báza, polarizovaného v závernom smere. Veľkosť tejto kapacity je v tranzistore malá C_m ~ 2 - 5 pF.

• C_p- kapacitu medzielektródového PN prechodu báza-emitor. Táto kapacita charakterizuje rýchlosť difúzie minoritných nosičov náboja cez oblasť bázy tranzistora. Kapacita C_p lineárne závisí od prúdu cez tranzistor a jej veľkosť býva niekoľko sto pF.

• r_p- vstupný odpor bipolárneho tranzistora, v zapojení SE r_p=r_be=(du_BE/di_B)=b₀/g_m a je definovaný pri konštantnom napätí U_CE = konst.

• r_x - odpor medzi vývodami bázy a jej efektívnou oblasťou, cez ktorú difundujú minoritné nosiče náboja. Pri nízkych frekvenciach je r_x~ r_p/10, pri vysokých frekvenciach je r_x~25W .

• g_m - strmosť g_m=(di_C/du_BE) odmeraná pri konštantnom napätí U_CE = konst. Parameter g_m nezávisí od individuálnych vlastností jednotlivých tranzistorov. Pre praktické použitie sa využíva závisloť

[Návrat]

q  Prúdový zosilňovací činiteľ b₀ v zapojení SE
Prúdový zosilňovaci činiteľ b₀ v zapojení so spoločným emitorom (SE) bol definovaný v tzv. stave nakrátko, teda pri záťaži v obvode kolektora R_C=0. 

Obr. 0bf. Zapojenie pomocou, ktorého sa definuje prenos prúdu b(w) v zapojení tranzistora so spoločným emitorom v stave nakrátko (teda pri záťaži v obvode kolektora RC = 0).

Modul prenosu  prúdu |b(w)| :

|b(w)|=b0/[1+(2p f rp(Cp+Cm))]0,5

nie je konštantný a zmenšuje sa pri vyšších frekvenciach. Z praktického hľadiska je dôležité poznať hornú hraničnú frekvenciu tranzistora f_b, teda frekvenciu po ktorú môžme predpokladať, že modul prúdového zosilňovacieho činiteľa |b(w)| je stály. Pri frekvencii f_b, podobne ako pri hornej hraničnej frekvencii dolnopriepustného RC článku, je:

|b(w)|=b0/(2)0,5

Iná charakteristická frekvencia je tranzitná frekvencia f_T:

fT =b0fb ,

pri ktorej je

|b(w)|=1.

Obr. 0bg. Typická frekvenčná závislosť prúdového zosilnenia |b(w)| pri skrate na výstupe (pre zapojenie podľa obrázku  0bf) pri b0 =150 a fT = 100MHz.

[Návrat]

Obr. 0bh Ilustrácia medzielektródových kapacít v tranzistore:  Ccb = Cm;  Cbe =  Cp  a  CL - kapacita reprezentujúca kapacitu záťaže a tiež kapacitu prechodu Cce (kvôli zjednodušeniu ju neuvažujeme v ďalšom, nakoľko ju možno zahrnúť do kapacity ďalšieho vstupu);  RL - odpor v sebe zahrnuje RC a odpor záťaže.

Samozrejme v praktických zapojeniach zosilňovačov sa nepoužíva stav nakrátko (v ktorom je R_C=0 a pomocou ktorého bol zadefinovaný prúdový zosilňovaci činiteľ b₀ v zapojení so spoločným emitorom). Takýto stav je vhodný len na zadefinovanie b₀ a na objasnenie vplyvu mezielektródových kapacít C_p a C_m na hornú hraničnú frekvenciu tranzistora:

fb=1/[2prp(Cp+Cm)],

poprípade na odhad kapacity C_p na základe známych katalógových údajov C_m , f_T a b₀:

Cp~[b0/(2prpfT) -Cm]

V dôsledku pripojenia nenulového odporu R_C môže mať zapojenie tranzistora SE napäťové zosilnenie A_u (pre prípad s R_E=0 je A_u=g_mR_C=R_C/r_e). Nepriaznivým dôsledkom je však zníženie hornej hraničnej frekvencia tranzistora v tomto zapojení:

fhb=1/[2p rp(Cp+Cm(1+Au)]=1 /[2p rpCM ]

Popísaný jav sa nazýva Millerov efekt a fiktívna kapacita Millerova kapacita:

CM=Cp+Cm(1+Au)

Obr. 0bh. Aproximácia frekvenčnej závislosti zosilnenia zapojenia tranzistora SE pomocou náhradnej kapacity CM.

Na minimalizovanie vplyvu Millerovej kapacity možno použiť zapojenie:

• so spoločnou bázou (kapacitu C_cb = C_m možno chápať ako súčasť kapacity záťaže C_L  F obr. 0bji.);
• so spoločným kolektorom (sledovač - u ktorého v dôsledku zosilnenia A_u~1 sa Millerov efekt neprejavuje  F obr. 0bji.); 
• kombinované zapojenia ako napr. zapojenia na obrázku 0bi a obrázku 0bj;
• so špeciálnymi spínacími tranzistormi s malými kapacitami  C_pa C_m a vďaka vhodnej montáži aj malou kapacitou C_L;
• s malým odporom R_C (a teda zapojenia pracujúce pri veľkom prúde I_C). 

Obr. 0bi  Zapojenie zosilňovača s emitorovou väzbou, ktoré možno interpretovať ako emitorový sledovač (SK) s následným tranzistorom v zapojení SB a preto je vplyv Millerovho javu neprejavuje.	Obr. 0bji. Náhradné obvody zapojení u ktorých sa neprejavuje Millerov jav:  So spoločnou bázou (SB),  Emitorového sledovača (SK)

Obr. 0bj. Zapojenie nazývané kaskóda, u ktorého dolný tranzistor v zapojení SE má ako zaťažovací odpor nízky odpor re2 vstupu zapojenia SB (=> má malé zosilnenia Au1~re2 /re1~ -1) a preto je vplyv Millerovho javu tiež minimálny. (Nakoľko však Au2~RL/re2 je celkové zosilnenie Au~Au1*Au2~ -RL /re1  - rovnaké ako 1 tranzistora SE.). Podobné zapojenie s FET-mi (F).

Zmena hornej hraničnej frekvencie z ideálnej w_b=2pf_b v stave nakrátko na reálnu w_hb=2pf_hb v zapojení s R_C<>0 má napríklad pri zosilňovaní impulzov za následok dodatočné predĺženie trvanie čela (t_ca=2,2t) impulzu (obrázok 5) v dôsledku predĺženia časovej konštanty o Dt_hb:

Obr. 0bk. Príklad zapojenia časti vysokofrekvenčného zosilňovača, v ktorom predpokladáme správne nastavenie jednosmerných pracovných podmienok (predovšetkým vhodného predpätia na vstupoch in1 a in2).

1. Napäťový zisk tranzistora Q₃=R₃/r_e~100 nakoľko r_e=1/g_m=10W . Na základe parametrov na výstupe (C_L+C_m=2,4pF+2pF a odporu R₃=1kW ) môže náhradný RC obvod na výstupe (v prípade tranzistora s ideálnymi vysokofrekvenčným zosilnením) prenášať bez zoslabenia nanajvýš frekvenciu:

f-3dB=1/[2pR3 (CL+ Cm )]~40MHz

2. Reálne vysokofrekvenčné vlastnosti tranzistora charakterizuje jeho Millerova kapacita C_M=C_p+C_m+C_mA_u=53pF+240pF paralelne pripojená k vstupnému odporu r_p=b₀r_e=2500W . 
3. S hľadiska náhradného obvodu na obr.0bl vplyv Millerovej kapacity C_M na zosilnenie tranzistoru s kolektorovým odporom R₃ (a teda zosilnením A_u=100) charakterizuje horná hraničná frekvencia:

Obr. 0bl. Náhradný obvod výstupnej časti zapojenia z obr. 0bk s tranzistorom Q3: Rg=R2~8,2kW odpor náhradného zdroja signálu; RL=R3~1kW záťaž v kolektore tranzistora Q3 ; CL=2pF kapacita výstupu Cp+m = Cp + Cm =53pF .

• zmenšením výsledného odporu r_p||R₂,
• voľbou tranzistora s vyššou tranzitnou frekvenciou f_T,
• zmenšením vplyvu C_mA_u , napríklad použitím menšieho odporu R_C= R₃ ,
• voľbou tranzistora v inej konfigurácii ako SE, napr. (obr. 0bm).

Obr. 0bm Zjednodušené principy zapojení vysokofrekvenčných zosilňovačov: Sledovač + SE SE+SB Sledovač+SB

Obr. 0bp. Korekčná indukčnosť (niekoľko mH) v obvode kolektora kompenzuje vplyv Millerovej kapacity a tak čiastočne zlepšuje zosilňovanie signálov s vysokou frekvenciou.

[Návrat]