Bipolárny tranzistor v oblasti vysokých frekvencii |
Vnútorné kapacity tranzistora |
Kondenzátor Ccb=Cm reprezentuje v náhradnom obvode tranzistora (pre oblasť vysokých frekvencii - 10kHz<f<1GHz) kapacitu nevodivej ochudobnenej vrstvy záverne polarizovaného prechodu B-C. Kondenzátor Cbe=Cp charakterizuje v náhradnom obvode tranzistora (pre oblasť vysokých frekvencii) predovšetkým obmedzenú rýchlosť difúzie nosičov náboja cez vodivý prechodu B-E. |
Tranzitná frekvencia |
Pri vysokých frekvenciách stále väčšia časť prúdu báze sa oddeľuje cez Cbe=Cp v dôsledku čoho sa zmenšuje prúdový zisk tranzistora. Podobne ako pri dolnopriepustnom filtri RC existuje tu hraničná frekvencia fb pri ktorej poklesne prenos prúdu |b(f)| o 3 dB. Frekvencia fT =1/[2pre(Cp+Cm)] pri ktorej je modul prúdového prenosu |b(f)|=1 sa nazýva tranzitná frekvencia. |
Millerov jav |
V zapojení tranzistora so spoločným emitorom, ktorý má napäťový zisk Au, sa v dôsledku pôsobenia spätnej väzby prejavujú vnútorné kapacíty tak, ako keby na vstupe tranzistora pôsobila efektívna tzv. Millerova kapacita Ceff=CM=Cp+Cm(Au+1) - teda omnoho výraznejšie sa zmenší napäťový zisk.. |
Náhradný obvod tranzistora pre vysoké frekvencie |
S použitím Millerovej kapacity Ceff=CM možno vytvoriť jednoduchší vysokofrekvenčný náhradný obvod tranzistora v zapojení SE. |
Kapacita výstupu |
Okrem efektívnej Millerovej kapacity pôsobí na pokles prenosu signálu s vysokou frekvenciou aj kapacita pripojenia záťaže, ktorá je na obrázku zahrnutá do parazitnej kapacity Co. |
Zapojenie so spoločnou bázou |
Modifikované zapojenie na obrázku, v ktorom sa signál privádza na emitor a báza je pre striedavý signál spoločná elektróda sa nazýva zapojenie so spoločnou bázou (SB). V porovnaní so zapojením SE má zapojenie SB menší vstupný odpor ale jeho výhodou je, že Millerov jav je redukovaný, pretože kapacita Cm pôsobí medzi kolektorom a zemou obdobne ako výstupná kapacita. |